Ruka hadi maelezo ya bidhaa
1 ya 4

Hangkai HKVA-1122 IC ya Kipima Mvuto cha MEMS Mhimili Mmoja, 5–2000g

Hangkai HKVA-1122 IC ya Kipima Mvuto cha MEMS Mhimili Mmoja, 5–2000g

Hangkai Microelectronic

Bei ya kawaida $101.97 USD
Bei ya kawaida Bei ya mauzo $101.97 USD
Uuzaji Imeuzwa
Ushuru umejumuishwa. Usafirishaji imehesabiwa wakati wa kulipa.
Mipangilio
Tazama maelezo kamili

The Hangkai Microelectronic HKVA-1122 ni IC ya accelerometer ya MEMS yenye mhimili mmoja kwa ajili ya kipimo cha kasi, mtetemo na mshtuko katika muundo wa ndani. Chagua anuwai ya kasi ya kawaida kutoka 5g hadi 2000g. Hapa g ni kasi inayohusiana na mvuto, si uzito wa chip. Hii ni sehemu ya kiwango cha bodi, si kifaa kamili cha kupima na kucheza au bodi ya tathmini.

Chaguo la Anuwai

Chaguzi tisa zilizohifadhiwa ni 5g, 10g, 20g, 50g, 100g, 200g, 400g, 1000g na 2000g. Lebo zinaonyesha anuwai lakini hazitambulishi kwa wazi mwelekeo wa mhimili au usanidi wa kuimarisha. Karatasi za rejea za wasambazaji zilizo hapa chini zinaonyesha toleo maalum la mhimili wa Y, mhimili wa Z na toleo la anuwai kubwa; thibitisha kiambatisho sahihi, mhimili nyeti na mpangilio wa pato kwa sehemu iliyochaguliwa.

Muundo wa MEMS

Vifaa vya wasambazaji vinaelezea upimaji wa piezoresistive wa mhimili mmoja, kipengele nyeti cha MEMS, elektroniki za kuandaa na kifurushi cha LCC.Muundo wa upimaji wa SOI wa silicon wa wingi na daraja la Wheatstone, pamoja na ASIC kugundua, kuimarisha na mzunguko wa pato kwa matoleo yaliyopangwa. Uwezo wa juu, uhusiano wa chini, upinzani wa mshtuko, usawa mzuri na majibu ya masafa ya juu ni sifa zilizotajwa na wasambazaji badala ya uthibitisho huru.

HKVA-1122 Y-Series Reference

Karatasi ya mfululizo wa Y inatambulika kwa mshale wa mwelekeo wa +Y. Thamani zake maalum za chanzo ni:

Parameta 5-Y 10-Y 20-Y 50-Y
Kiwango (g) ±5 ±10 ±20 ±50
Voltage ya zero-g (V) 1.5 1.65 1.65 1.65
Uhisiano (mV/g) 200 100 72.5 29
Mstari wa mabadiliko ya sifuri wa chanzo (g), haujathibitishwa 5 10 20 50
Mabadiliko ya hisi (%) 0.5 0.5 0.5 0.5
Mabadiliko ya sifuri ya joto (%/°C) 0.05 0.05 0.05 0.05
Mabadiliko ya hisi ya joto (%FS/°C) 0.05 0.05 0.05 0.05
Uasi (%) 0.2 0.2 0.2 0.2

Safu ya mabadiliko ya sifuri ya Y-sheet ya chanzo inarudia thamani za anuwai kamili (5/10/20/50g), ambayo inaonekana kuwa na shaka. Nambari hizi zinarejelewa kama data ya chanzo isiyothibitishwa; hazipaswi kutumika kama maelezo ya kuhamasisha yaliyothibitishwa.

HKVA-1122 Z-Series Reference

Parameta 100-Z 200-Z 400-Z
Anuwai (g) ±100 ±200 ±400
Voltage ya sifuri-g (V) 1.65 1.65 1.65
Uhisishaji (mV/g) 14.5 7.25 3.62
Mabadiliko ya sifuri (g) 0.1 0.2 0.5
Kuongezeka kwa hisia (%) 0.5 0.5 0.5
Kuongezeka kwa alama ya joto (%/°C) 0.05 0.05 0.05
Kuongezeka kwa hisia ya joto (%FS/°C) 0.05 0.05 0.05
Uasi (%) 0.2 0.2 0.2

Masharti ya Kurejea ya Y/Z

Parameta Thamani ya Mtoa huduma
Joto la kufanya kazi −55 hadi +85°C
Joto la kuhifadhi −55 hadi +125°C
Kuanza <1ms
Uhimili wa mshtuko 10000g
Current <4mA
Vipimo vya kifurushi 3.8 × 3.8 × 1.4mm
Usambazaji 3.3–5V
Kiwango cha pato 0.2–3.1V
Majibu ya masafa 5kHz

HKVA-1122 Kiwango cha Juu cha Marejeo

Karatasi ya chanzo cha kiwango cha juu inajumuisha toleo la 1000g, 2000g na 5000g. Toleo la 5000g si chaguo la mauzo katika orodha hii.

Parameta 1000 2000 5000 — marejeo tu
Kiwango (g) ±1000 ±2000 ±5000
Voltage ya sifuri-g (V) 1.65 1.65 1.65
Uhisiano (µV/g) 1450 725 290
Kuondoka kwa sifuri (g) 2 4 10
Kuondoka kwa sifuri-g (g) ±10 ±20 ±50
Kuondoka kwa hisiano (%) 0.5 0.5 0.5
Kuondoka kwa sifuri ya joto (%/°C) 0.05 0.05 0.05
Kuondoka kwa hisiano ya joto (%FS/°C) 0.05 0.05 0.05
Uasi (%) 0.8 0.8 0.8

Kwa karatasi hii ya kiwango cha juu, msambazaji anataja joto la kufanya kazi −55 hadi +85°C, uhifadhi −55 hadi +125°C, kuanzisha chini ya 1ms, upinzani wa mshtuko 20000g, sasa chini ya 4mA, vipimo 3.8 × 3.8 × 1.4mm na usambazaji wa 3.3–5V. Karatasi ya kiwango cha juu haijarudia wazi wazi kiwango cha pato cha Y/Z au takwimu za upana wa 5kHz, hivyo hizo hazichukuliwi kuwa za kila kiwango.

Mzunguko wa Maombi na Usanidi

Mzunguko wa rejeleo la analojia unaonyesha VDD, GND na OUT na kondensa 0.1µF ya kutenganisha kati ya VDD na GND. Hii ni picha ya kazi, si ugawaji kamili wa nambari za pini za kifurushi. Chanzo pia kinaonyesha usanidi wa 1000g/2000g ulioimarishwa na usioimarishwa; hizi ni mifano ya rejeleo, si chaguo za ziada zinazoweza kuchaguliwa. Linganisha karatasi ya data iliyotolewa, aina ya pato, usambazaji na mwelekeo wa ufungaji kabla ya kubuni mzunguko.

Separate 2000g Bridge-Level Source Reference

Jedwali tofauti la chanzo linatumia unyeti katika mV/g/V na halijabainisha mfano wake halisi. Ufanisi wake kwa chaguo la HKVA-1122 lililochaguliwa haujathibitishwa. Usiiunganishe na takwimu za pato zilizowekwa hapo juu.

Parameta Hali / chini / kawaida / juu
Joto la kufanya kazi −40 hadi +125°C
Piezoresistance 25 / 33 / 40kΩ
Kiwango cha kasi Z-axis: −2000 hadi +2000g
Unyeti katika 25°C Z-axis: 0.006 / 0.01 / 0.015mV/g/V
Kuondolewa kwa unyeti wa joto −0.3 / −0.2 / −0.1%/°C juu ya anuwai ya uendeshaji
Zero-g offset katika 25°C Z-axis: −10 / 0 / +10mV/V
Uhisabati wa msalaba (b) ±3% kiwango cha juu kama inavyoonyeshwa
Uasi wa laini (a) ±2% kiwango cha juu kama inavyoonyeshwa
Masafa ya resonanti (b) Z-axis: 39kHz ya kawaida

Chanzo hakijajumuisha maandiko yanayohusiana kwa alama za chini (a) na (b). Masafa ya resonanti si sawa na upana wa kipimo kilichohakikishwa.

HKVA-1111 Familia Rejeo Pekee

Vifaa vilivyohifadhiwa pia vinajumuisha picha za HKVA-1111 na karatasi ya mfululizo wa kidijitali. HKVA-1111 si mfano unaoweza kuchaguliwa hapa; picha hizi za familia zimehifadhiwa kwa ajili ya rejeo bila kubadilisha alama zao za mfano zilizochapishwa.

HKVA-1111 parameter 20 50 100 200
Range (g) ±20 ±50 ±100 ±200
Zero-g offset (g) ±0.1 ±0.2 ±0.5 ±1
Noise (mg/√Hz) 1 2 5 10
Nonlinearity (%) 0.1 0.1 0.1 0.1
Thermal zero-point drift (%FS/°C) 0.03 0.03 0.03 0.03
Uhamasishaji wa joto (%/°C), thamani za chanzo 1 2 5 10

Karatasi ya HKVA-1111 inaorodhesha sensor ya joto, hali ya kipindi ya CYC, ADC ya bit 20, kiwango cha data cha pato 800Hz, SPI/I2C, usambazaji wa 1.8–3.6V, chini ya 1mA sasa, kuanzishwa chini ya 5ms, upinzani wa mshtuko wa 10000g, uendeshaji wa −45 hadi +85°C, uhifadhi wa −55 hadi +125°C, kifurushi cha 3.8 × 3.8 × 1.4mm na uzito wa kifaa wa 30mg. Mzunguko wake unaonyesha ishara za VDD/CSB/GND/VPP na SDO/SCL/SDI/INT zikiwa na capacitors za 0.1µF, vipengele vya 4.7kΩ na 10kΩ. Maelezo haya ya kiunganishi cha kidijitali, uzito na wakati hayapaswi kuhamishwa kwa HKVA-1122.

Yaliyomo kwenye Kifurushi

IC moja ya HKVA-1122 ya accelerometer katika anuwai iliyochaguliwa. Maoni mengi ya chip yanaonyesha pande za kifurushi na mifano ya familia; hayamaanishi pakiti ya vipande vingi.Bodi za kawaida, vifaa vinavyolingana, bodi za maendeleo na nyaya za nje hazijajumuishwa. Hakuna sifa au uthibitisho wa kijeshi ulioanzishwa na vifaa vilivyohifadhiwa.

Maelezo ya Kichora

HKVA MEMS single-axis sensing overview
Muhtasari wa sensa ya HKVA MEMS ya mhimili mmoja
Supplier-described piezoresistive MEMS, ASIC and LCC architecture
Muundo wa piezoresistive MEMS, ASIC na LCC kama inavyoelezwa na msambazaji
Separate2000g bridge-level reference parameters; applicability unconfirmed
Parameta za rejeleo za kiwango cha daraja 2000g tofauti; matumizi hayajathibitishwa
HKVA-1122 Z-series source table and analog circuit
Jedwali la chanzo la mfululizo wa HKVA-1122 na mzunguko wa analojia
HKVA-1122 Y-series source table; questionable zero-point drift row marked unverified
Jedwali la chanzo la mfululizo wa HKVA-1122 Y; safu ya mabadiliko ya sifuri yenye shaka imewekwa kama isiyothibitishwa
HKVA-1122 high-range source table;5000g reference not offered
Jedwali la chanzo la mfululizo wa HKVA-1122 wa kiwango cha juu; rejeleo la 5000g halitolewi
HKVA-1111 digital-family reference only, not selectable here
HKVA-1111 rejeleo la familia ya kidijitali pekee, haliwezi kuchaguliwa hapa
High-g MEMS supplier benefit illustration
Uonyeshaji wa faida za msambazaji wa MEMS wa High-g
Analog circuit and amplified/unamplified source examples; confirm selected configuration
Mfano wa mzunguko wa analojia na chanzo kilichoongezwa/kisichoongezwa; thibitisha usanidi uliochaguliwa